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Static Current Unbalance of Paralleled SiC MOSFET Modules in the Final Layout
(IEEE, 2020)
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs enable enhanced performance of power converters in several applications. Parallel connection of SiC MOSFETs become mandatory for medium power applications due to the current rate of existing ...
Impacto de los semiconductores de banda prohibida ancha en el diseño de convertidores de potencia
(Mondragon Unibertsitatea. Goi Eskola Politeknikoa, 2020)
Los convertidores electrónicos de potencia se basan en dispositivos semiconductores para la conversión y control de la energía eléctrica. El silicio es a día de hoy el material más ampliamente utilizado para la construcción ...