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Integration of Silicon Carbide devices to increase the AEP (Annual Energy Production) in a PM based wind generation system.pdf (953.2Kb)
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Título
Integration of Silicon Carbide devices to increase the AEP (Annual Energy Production) in a PM based wind generation system
Autor-a
Arrizabalaga, Antxon
Mazuela, Mikel
Idarreta Garate, Aitor
IRAOLA, UNAI
Aizpuru, Iosu
Autor-a (de otra institución)
Rodríguez, José Luis
Labiano Andueza, Daniel
Alişar, İbrahim
Grupo de investigación
Almacenamiento de energía
Otras instituciones
https://ror.org/02jfvys57
SGRE Innovation & Technology S.L.
Versión
Postprint
Derechos
© 2020 IEEE
Acceso
Acceso abierto
URI
https://hdl.handle.net/20.500.11984/6778
Versión del editor
https://doi.org/10.1109/PEDG48541.2020.9244477
Publicado en
IEEE International Symposium on Power Electronics for Distributed Generation Systems (PEDG)  11. Dubrovnik, Croatia (online). 28 septiembre-1 octubre, 2020.
Editor
IEEE
Palabras clave
wind energy
Resumen
A radical energetic change is needed nowadays and enhancing renewable energies should play a main role. For its superior performance and lower losses, SiC devices are identified as a potential technol ... [+]
A radical energetic change is needed nowadays and enhancing renewable energies should play a main role. For its superior performance and lower losses, SiC devices are identified as a potential technology to improve wind energy generation systems AEP. A 2 MW PM generator based WGS (Wind Generation System) is modeled, and Si IGBT, hybrid and full SiC MOSFET devices are tested in different operation points, as well as different locations. Higher efficiency in the converter based on SiC MOSFETs is observed in all the operation points. This leads to an increment in AEP, mostly in regions with lower average annual wind speeds, making them more interesting for wind energy. The work is replicable tuning the simulation models to obtain precise results for an exact WGS. [-]
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