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Simple and affordable method for fast transient measurements of SiC devices.pdf (4.003Mb)
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Título
Simple and Affordable Method for Fast Transient Measurements of SiC Devices
Autor-a
Garrido, David
Baraia-Etxaburu, Igor
Arza Alonso, Joseba
Barrenetxea, Manex
Grupo de investigación
Sistemas electrónicos de potencia aplicados al control de la energía eléctrica
Accionamientos aplicados a la tracción y a la generación de energía eléctrica
Versión
Postprint
Derechos
© 2020 IEEE
Acceso
Acceso abierto
URI
https://hdl.handle.net/20.500.11984/6574
Versión del editor
https://doi.org/10.1109/TPEL.2019.2924358
Publicado en
IEEE Transactions on Power Electronics  Vol. 35. N. 3. Pp. 2933-2942. March, 2020
Editor
IEEE
Palabras clave
SiC
MOSFET
measurement
Fast switching ... [+]
SiC
MOSFET
measurement
Fast switching
voltage probes
current probes
high frequency
ODS 7 Energía asequible y no contaminante
ODS 9 Industria, innovación e infraestructura [-]
Resumen
The measurement of fast voltage and current transients of Silicon Carbide (SiC) devices requires high bandwidth (BW) probes. Commercially available voltage and current probes can be expensive, and, in ... [+]
The measurement of fast voltage and current transients of Silicon Carbide (SiC) devices requires high bandwidth (BW) probes. Commercially available voltage and current probes can be expensive, and, in addition, the delay introduced by them must be compensated to achieve a proper time alignment (de-skew). Determining this de-skewing value is not a trivial task. In this paper, a simple and affordable measurement method is presented for the simultaneous measurement of the voltage and current transients of SiC devices. The voltage is measured by means of a high BW RC attenuator, while the current is estimated from the voltage drop in the stray inductance of the switching loop. Since both voltages are measured with two equal and matched high BW passive voltage probes, there is no need to apply any de-skew. This is one of the most important advantages of the method. The presented method is experimentally evaluated and used for the estimation of energy switching losses in the tested SiC-mosfet. [-]
Financiador
Gobierno Vasco
Gobierno Vasco
Programa
Elkartek 2018
Programa Universidad-Empresa
Número
KK-2018-00064
UE2017-09
URI de la ayuda
Sin información
Sin información
Proyecto
Silicon Carbide Solutions (SICSOL)
Inversor ultracompacto de alta eficiencia basado en semiconductores de banda ancha (EFINVERTER)
Colecciones
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